街机连环夺宝(集团)有限公司

语言选择: 中文版 ∷  英文版

光刻系统

  • 硅穿孔工艺设备
  • 硅穿孔工艺设备
  • 硅穿孔工艺设备
硅穿孔工艺设备硅穿孔工艺设备硅穿孔工艺设备

硅穿孔工艺设备

  • 产品描述:硅穿孔工艺设备
硅穿孔工艺设备
硅穿孔(TSV,Through Silicon Via):通过芯片和芯片之间,晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,芯片之间的互连线最短,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能,使目前电子封装技术中最引人注目的新技术。
特点:
1.缩小封装尺寸。
2.高频特性出色,减少传输延时的一种技术。
3.降低芯片功耗,TSV可将硅锗芯片的功耗降低约40%。
4.热膨胀可靠性高。



产品特点:
应用范围:TSV工艺
晶圆尺寸:6英寸,8英寸,12英寸
工艺流程:Insulation, Barrier,Cu seed/fill/Prewet, Anneal
工艺特型:单晶圆面向上湿法工艺
薄膜沉积:Electrografting(eG) and Chemicalgrafting(cG) deposition
反应物管路:CDS( Chemistry Delivery System)
系统参数:单晶圆腔体工艺(手动,半自动)
多腔体工艺(自动)
--EFEM/FOUP(Robot/Pre-aligner)
--Transfer Robot
--Process cell
--Control unit
--Electric unit
--Chemical supply unit
--CDS

联系我们

CONTACT US

联系人:张垚

手机:13916855175

电话:021-56035615

邮箱:info@internationaladopteecongress.org

地址: 上海市杨浦区松花江路251弄白玉兰环保广场3号902室