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薄膜半导体材料制备系统

  • MBE 系统
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MBE 系统MBE 系统MBE 系统MBE 系统

MBE 系统

  • 产品描述:MBE 系统

MBE系统

带快速进样室的独立 MBE 系统

  • 本底真空优于2x10-10mbar
  • 4 轴操纵器,可直接连接电子光束加热至 1200 °C 和 液氮LN2冷却
  • Load-Lock进样室与线性传输杆,使样品夹具传输方便。最多可存储6个样品夹具。
  • 沉积室包含用于 RHEED 枪、离子枪、光束通量监视器、石英晶体天平等的端口。
  • 可更换底部法兰,带专用起重推车
  • 沉积室中可防止交叉污染

样品沉积室配备了用于分析仪器等的其他端口。

根据蒸发源的类型和数量以及基板大小,可提供不同的标准衬底尺寸:直径300mm、直径450mm 和 直径570mm(根据要求的其他尺寸)。





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